粒子線照射に対する高い耐性の獲得
ハイエントロピー化という新しい概念を取り入れることで、従来材料にない新たな機能性の付与や性能の向上などを実現します。超伝導体や熱電変換材料、半導体など様々な機能性材料に取り入れることで、高性能・高耐久性を兼ね備えた超伝導体や半導体などを創出します。超伝導量子コンピュータや超伝導線材・マグネットなど次世代の社会に欠かせないテクノロジーの基盤材料を生み出します。
若手研究者産学連携
プラットフォーム
研究の成熟度
TRL1
基本原理・
現象の確認
基礎研究
TRL2
原理・現象の
定式化
基礎研究
TRL3
実験による
概念実証
応用研究
TRL4
実験室での
技術検証
応用研究
TRL5
使用環境に
応じた技術検証
実証
TRL6
実環境での
技術検証
実証
TRL7以上
実環境での
技術検証
※TRL(TRL(Technology Readiness Level):特定技術の成熟度を表す指標で、異なったタイプの技術の成熟度を比較することができる定量尺度
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ビジョン
ハイエントロピー化という新しい概念を取り入れることで、従来材料にない新たな機能性の付与や性能の向上などを実現します。超伝導体や熱電変換材料、半導体など様々な機能性材料に取り入れることで、高性能・高耐久性を兼ね備えた超伝導体や半導体などを創出します。超伝導量子コンピュータや超伝導線材・マグネットなど次世代の社会に欠かせないテクノロジーの基盤材料を生み出します。
最終用途例
強み
超伝導量子チップや超伝導マグネット製造時の大元となる超伝導体ターゲット材料自体に耐照射性を付与することで、既存の製造ラインに大幅な改造などを要することなく既存のターゲット材料と置き換えが可能になる。
テクノロジー
共同研究仮説
超伝導体や半導体、熱電変換材料などのターゲット材料開発や量子チップ・超伝導マグネット・熱電モジュールなどのプロトタイプ作製を通じて、既存材料に置き換わる新材料の共同開発を希望します。
研究者
2022年8月 – 現在 東京都立大学 理学部物理学科 助教
2019年 – 2022年7月 東京都立大学 理学部物理学科 特任助教
2019年3月 筑波大学大学院 物質・材料工学専攻 博士後期課程 修了
[特許]
特願2025-144279, 山下愛智,他2名
特願2025-032960, 山下愛智, 他4名
他6件
[受賞]
2025年 ICT/ACT2025 ”Nanoscale Journal Family Poster Prize” 受賞
2024年 日本セラミックス協会 ”セッション奨励賞” 受賞
2024年 日本材料科学会 ”奨励賞(末澤賞)” 受賞
他8件
材料メーカーとの共同研究を実施中
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