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ビジョン
本研究開発により実現されるGaN成膜用3C-SiC-on-ダイヤモンドエンジニアリング基板は、4H-SiC基板に比べ熱抵抗が約70%低いです。このエンジニアリング基板上にGaNを成膜し、更に素子作製プロセスを適用することにより、異種材料接合技術に投資することなく放熱性が大幅に向上したGaN素子が製造されます。動作時の自己発熱が抑制されることにより、素子性能と寿命が向上します。素子の出力増加、信頼性の向上、システムの小型化、冷却機構の簡素化を実現し、CO2排出削減に大きく貢献します。
最終用途例
APPLICATION
GaNパワー素子の放熱性を大幅に向上させることでGaN素子の最大出力増加、信頼性向上、システムの小型化、冷却機構の簡素化、が実現されます。
強み
３C-SiC-on-ダイヤモンド基板を使用することで、従来のSi基板上GaNと比べ熱抵抗が66%低減できます（https://dor.org/10.35848/1882-0786/ac5ba7).
テクノロジー
2021年10月5日～11日までに開催された7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)にて当研究室の学生がBest Student Presentation Awardを受賞しました．発表題目は『Fabrication of GaN/3C-SiC/diamond structure for efficient thermal management of power device』です。研究内容はダイヤモンドを用いた高性能窒化ガリウムデバイスの研究です．
共同研究仮説
GaN素子の量産に適用するためには、4インチ以上3C-SiC-on-ダイヤモンド基板が必要です。そのためには、ダイヤモンド基板、大面積の接合技術及びダイヤモンド下地基板に適したGaN成膜と素子作製技術の開発が必要となります。
研究者
2012年名古屋工業大学大学院工学研究科博士課程修了（工学博士）
2012年大阪市立大学工学研究科博士研究員
2015年大阪市立大学工学研究科講師
2019年大阪市立大学工学研究科准教授
2022年大阪公立大学工学研究科准教授、現在に至る
関連論文など
Applied Physics Express 15, 041003 (2022), Advanced Materials 33, 2104564 (2021).
