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最終用途例
APPLICATION
ワンチップで波長多重数を増加していくためには、光源の高性能化だけでなく光増幅器や光アイソレータの集積が不可欠です。III-V族化合物半導体からなるレーザ光源や光増幅器、磁気光学結晶を用いた導波路型光アイソレータなどを搭載し、波長多重数の大きな光トランシーバが実現できます。
強み
テクノロジー
共同研究仮説
現在のシリコンフォトニクスではシリコン単体の物性値の限界近くまで性能が引き出されており、さらなる発展には異種材料集積が不可欠と考えております。付加価値の高い、新しい光デバイス開発にご興味のある企業様と共同研究ができれば幸いです。
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研究者
2008年4月~:独立行政法人産業技術総合研究所 特別研究員
2011年4月~:国立大学法人東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター 助教
2015年3月~:国立大学法人東京工業大学 科学技術創成研究院 准教授
2009年4月~:日本電信電話株式会社 先端集積デバイス研究所 研究員
2015年7月~:カリフォルニア州立大バークレー校 物理学部 ポストドクトラルフェロー
2016年11月~:国立研究開発法人産業技術総合研究所 プラットフォームフォトニクス研究センター 主任研究員