若手研究者産学連携
プラットフォーム
研究の成熟度
TRL1
基本原理・
現象の確認
基礎研究
TRL2
原理・現象の
定式化
基礎研究
TRL3
実験による
概念実証
応用研究
TRL4
実験室での
技術検証
応用研究
TRL5
使用環境に
応じた技術検証
実証
TRL6
実環境での
技術検証
実証
TRL7以上
実環境での
技術検証
※TRL（TRL（Technology Readiness Level）：特定技術の成熟度を表す指標で、異なったタイプの技術の成熟度を比較することができる定量尺度
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ビジョン
点欠陥の”見える化”が、次世代半導体材料の研究開発を支えます。
点欠陥とは、半導体結晶の中に存在する原子レベルの乱れや不純物で、わずかな存在でも半導体デバイスの性能や信頼性を大きく左右します。
低コスト・高精度に点欠陥を定量できるプラットフォームを開発し、研究室から製造現場まで幅広く活用できる環境を拡げます。
多様な現場での利用を通じて、結晶成長やプロセス条件の最適化が加速し、次世代半導体の高性能化・高信頼性化に直結します。
点欠陥の”見える化”を誰もが使える共通基盤とし、エネルギー変換効率の高い半導体デバイスの普及を後押しすることで、
脱炭素・省エネルギー社会の実現に貢献します。
最終用途例
APPLICATION
新規半導体材料中の点欠陥を精密に定量することで、結晶成長やプロセスの理解や基礎物性の理解を深め、
研究室レベルでの半導体材料開発を支える基盤技術として活用できます。
APPLICATION
開発中の新規半導体材料や新規プロセスにおける点欠陥の種類・分布を定量化し、設計指針にフィードバックできます。
次世代半導体デバイスの高性能化・高信頼化に向けた開発を加速します。
APPLICATION
量産段階において点欠陥のばらつきを監視し、製造条件の最適化や品質基準の確立に役立ちます。
現場に導入しやすい低コスト構成で、安定した高品質供給を実現し、製品の信頼性確保に直結します。
強み
汎用計測機器を組み合わせることで、点欠陥評価装置を低コスト化。研究室から製造現場まで、導入障壁を下げて普及を加速します。
評価対象の点欠陥に合わせて装置から測定・解析手法までをチューニング。
面内分布や深さ方向プロファイルも測定でき、精密な欠陥評価を実現します。
オプションで短パルス測定や光パルス測定等の機能を追加し、検出可能な欠陥範囲を拡張。
研究ニーズから量産現場の品質保証まで幅広く対応可能な柔軟な評価基盤です。
テクノロジー
汎用機器を組み合わせることで、従来は高額な専用装置に依存していた点欠陥評価を低コストかつ柔軟に実現します。
短パルス測定機能や光パルス照射機能を追加することで、検出可能な欠陥準位の範囲を大きく拡張します。
点欠陥の種類・密度・分布を高感度に定量できるため、材料研究からプロセス開発、品質管理まで幅広いニーズに対応可能な
「点欠陥の見える化」基盤を提供します。
共同研究仮説
半導体関連メーカーでの結晶成長やプロセス後の点欠陥を定量評価し、その知見をフィードバックします。
開発段階では、半導体材料の結晶成長・プロセス条件の最適化を、製造段階では、品質管理を支援します。
必要に応じて、装置導入や測定・解析手法を提供し、研究から量産まで一貫したサポートを実現します。
計測機器・分析メーカーと共同研究を行い、点欠陥の定量技術を研究・量産現場で活用可能な装置へと実装します。
低コスト・高精度を両立した評価系を開発し、点欠陥検出範囲の拡張や測定自動化を進めることで、
研究現場から産業応用まで幅広く普及可能なプラットフォームの確率を目指します。
研究者
経歴
2019–22年 日本学術振興会 特別研究員 DC1
2022年 京大院工 電子工学専攻 博士後期課程 修了
2022年–現在 京都工繊大 電気電子工学系 助教
受賞歴
2017年 京大 吉田卒業研究・論文賞
2017年 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 発表奨励賞
2017年 TIAパワーエレクトロニクスサマースクール 奨励賞
2018年 先進パワー半導体講演会 研究奨励賞
2019年 京大院 馬詰研究奨励賞
2019年 電子材料シンポジウム EMS賞
2024年 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 研究奨励賞
2025年 半導体エレクトロニクス部門委員会 講演奨励賞
https://researchmap.jp/kanegae
・電気電子工学
・半導体工学
・材料工学
半導体材料メーカー
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